摘要：
近年来，二维铁磁体由于其在自旋电子学器件上的重要应用而受到广泛关注。从器件应用的角度，亟待寻找和设计更多具有高居里温度的铁磁体。我们从22种具有较简单晶体结构的过渡金属化合物二维材料出发，进行计算筛选和等电子元素替换，设计出居里温度高达500 K的两种二维磁性半导体CrSCl和CrSeBr。我们提出了在二维硼化物和磷化物中寻找二维铁磁材料的思路，设计出MnB和Co2P两类新型二维单层铁磁体。我们还提出了在非化学计量比材料中，利用不成对的p电子获得新型p态二维磁体，设计出YN2和K2N单层铁磁体。最后，我们针对CrI3双层磁体层间反铁磁耦合的特性，分别提出采用半导体衬底的近邻效应和Cr/I原子自插层两种办法调控体系的层内和层间铁磁耦合，可以将CrI3双层转变为具有较高的居里温度铁磁体。上述理论结果，为设计和筛选新型二维铁磁材料，调控磁性性质，发展自旋电子学器件提供了思路。
