国际半导体器件与系统路线图（The International Roadmap for Devices and Systems, IRDS）预测硅基晶体管的极限栅长为12 纳米，工作电压不小于0.6 伏，这定义了未来硅基芯片缩放结束时的最终集成度和功耗。然而，我们最新研究表明具有高热速度的硒化铟材料可以打破硅基缩放极限。我们制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10 纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 伏，这也是迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。